ICS77.040 CCSH21 中华人民共和国国家标准 GB/T43894.1—2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD) Practicefordeterminingsemiconductorwafernear-edgegeometry— Part1:Measuredheightdataarrayusingacurvaturemetric(ZDD) 2024-04-25发布 2024-11-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件是GB/T43894《半导体晶片近边缘几何形态评价》的第1部分。GB/T43894已经发布了 以下部分: ———第1部分:高度径向二阶导数(ZDD)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓 微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技(集 团)股份有限公司。 本文件主要起草人:王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、 郭正江。 ⅠGB/T43894.1—2024 引 言 随着硅片直径的增加和线宽的不断降低,对硅片几何参数的要求也在不断提高。硅片的近边缘区 域是影响硅片几何参数的重要因素,目前大直径硅片近边缘区域的厚度、平整度等形态的控制难度较 大,因此有效地评价和管控大直径硅片的近边缘几何形态,对于提高硅片整体质量和集成电路芯片的成 品率,促进技术代的升级有着重要的意义。该系列标准目前主要用于硅片,其区域的划分和计算可推广 至其他半导体材料晶片。GB/T43894拟由四个部分构成。 ———第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)。目的在于使用径向二阶导数方法评价半导体晶片近 边缘几何形态。 ———第2部分:边缘卷曲法(ROA)。目的在于使用利用边缘卷曲度评价半导体晶片近边缘几何 形态。 ———第3部分:扇形区域局部平整度法。目的在于获得近边缘扇形区域平整度进而评价近边缘几 何形态。 ———第4部分:不完整区域的局部平整度法。目的在于获得近边缘不完整区域的局部平整度进而 评价近边缘几何形态。 该系列标准从不同的测试区域,用不同的计算方法得到了对晶片近边缘区域几何参数的量化评 价,有效地评价和管控了晶片的近边缘区域几何形态。本文件在制定过程中融入了多年来测试、校准经 验,本文件的制定对发展我国大直径、高质量半导体硅片,彻底摆脱在半导体材料和器件方面的落后状 态,有着非常重要的意义。 ⅡGB/T43894.1—2024