ICS77.040 CCSH21 中华人民共和国国家标准 GB/T24578—2024 代替GB/T24578—2015,GB/T34504—2017 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 Testmethodformeasuringsurfacemetalcontaminationonsemiconductor wafers—TotalreflectionX-Rayfluorescencespectroscopy 2024-07-24发布 2025-02-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T24578—2015《硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法》和 GB/T34504—2017《蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法》。与GB/T24578—2015和 GB/T34504—2017相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下: a) 更改了范围(见第1章,GB/T24578—2015和GB/T34504—2017的第1章); b) 增加了“全反射”的定义(见3.1); c) 删除了缩略语(见GB/T24578—2015的第4章,GB/T34504—2017的3.2); d) 更改了方法原理(见第4章,GB/T24578—2015的第5章和GB/T34504—2017的第4章); e) 更改了干扰因素中掠射角校准的影响、样品表面粗糙度和波纹带来的影响[见5.2.3、5.3.2, GB/T24578—2015的6.2.1、6.3.2和GB/T34504—2017的6.2b)、6.2g)];增加了掠射角选 择,测试钠、镁、铝元素时的检出限,靶材工作方式的影响,靶材腔室真空度的影响,主腔室氮气 纯度的影响,校准样片与测试样片角扫描不同的影响(见5.1.1、5.1.6、5.2.6、5.2.7、5.2.8、5.3.1); f) 更改了干扰因素中沾污元素的影响、沾污不均匀的影响[见5.3.4、5.3.5,GB/T34504—2017的 6.3e)、6.3f)]; g) 删除了干扰因素中设备主机高架地板振动的影响、设备所在环境、样品载具、操作人员的手套 洁净度不良等情况的影响[见GB/T34504—2017的6.3a)、6.3c)]; h) 更改了试验条件(见第6章,GB/T24578—2015的第9章和GB/T34504—2017的第7章); i) 增加了校准中全反射临界角的近似计算公式(见9.2.3); j) 更改了设备的校准(见第9章,GB/T24578—2015第10章、第11章和GB/T34504—2017的第8章); k) 更改了试验步骤(见第10章,GB/T24578—2015的第12章和GB/T34504—2017的第9章); l) 更改了精密度(见第11章,GB/T24578—2015的第13章和GB/T34504—2017的第11章); m) 删除了测试结果的计算(见GB/T34504—2017的第10章)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:有研半导体硅材料股份公司、天通银厦新材料有限公司、浙江海纳半导体股份有 限公司、北京通美晶体技术股份有限公司、深圳牧野微电子技术有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公 司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广东天域半导体股份有限公司、江苏华兴激光科技有限公 司、江苏芯梦半导体设备有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、深圳市深鸿盛 电子有限公司、深圳市晶导电子有限公司、湖南德智新材料有限公司。 本文件主要起草人:宁永铎、孙燕、贺东江、李素青、朱晓彤、康森、靳慧洁、孙韫哲、潘金平、任殿胜、 张海英、何凌、丁雄杰、刘薇、沈演凤、廖周芳、赵丽丽、张西刚、赖辉朋、廖家豪。 本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为: ———2009年首次发布为GB/T24578—2009; ———本次为第二次修订,并入了GB/T34504—2017《蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量 方法》。 ⅠGB/T24578—2024