GB-T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件 测试方法

ICS 31. 260 L 50 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 15651.3—2003/IEC 60747-5-3:1997 半导体分立器件和集成电路第5-3 部分：光电子器件测试方法 Discrete semiconductor devices and integrated circuits- Part 5-3 : Optoelectronic devices- Measuring methods (IEC 60747-5-3:1997,IDT) 2003-11-24 发布 2004-08-01实施中华人民共和国发布国家质量监督检验检疫总局 GB/T15651.3—2003/IEC60747-5-3:1997 目次前言范围 2规范性引用文件 3光发射器件测试方法 3.1发光二极管的发光强度（Iv） 3.2 红外发射二极管辐射强度（I） 3.3峰值发射波长（入）、光谱辐射带宽（△入）和纵模数（nm） 3.4不带尾纤的激光二极管发射源的长度、宽度和象散性· 3.5光发射器件的半强度角和角偏差 4光敏器件的测试方法…. 4.1光电二极管（包括带或不带尾纤的器件）在光辐射下的反向电流（IR(H)或IR(e)）和光电晶体管光辐射下的集电极电流（Ic(H)或Ic(e) 4.2光电二极管的暗电流IR(D)和光电晶体管的暗电流IcEO、IECO、IEBO 10 4.3 光电晶体管的集电极一发射极饱和电压VcE(s 光电耦合器测试方法· 12 5. 1 电流传输比（hF(ctr)） 12 5.2 输人一输出电容(Ci。) 13 5.3 输入一输出隔离电阻（rio 14 5.4 隔离试验 14 5.5光电耦合器的局部放电· 5.6光电耦合器的集电极一发射极的饱和电压VcE 19 5.7光电耦合器的开关时间tonto 附录A（资料性附录）标准对照表 23

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