ICS 31.080.99 CCS L 90 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T43493.3—2023/IEC 63068-3:2020 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法 Semiconductor device-Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbidehomoepitaxial waferforpower devicesPart 3:Test methodfor defects using photoluminescence （IEC63068-3:2020.IDT) 2023-12-28发布 2024-07-01实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会

GB-T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法

文档预览

中文文档 23 页 50 下载 1000 浏览 0 评论 309 收藏 3.0分

赞助3元下载(无需注册)

温馨提示：本文档共23页，可预览 3 页，如浏览全部内容或当前文档出现乱码,可开通会员下载原始文档

GB-T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法第 1 页

GB-T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法第 2 页

GB-T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法第 3 页

下载文档到电脑，方便使用

赞助3元下载

本文档由人生无常于 2024-04-06 13:10:05上传分享

下载原文档(2.9 MB)

友情链接

交流群

-->

GB-T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法

GB-T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法