(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111639092.4 (22)申请日 2021.12.3 0 (71)申请人 固纬电子 （苏州） 有限公司 地址 215000 江苏省苏州市新区鹿山路69 号 (72)发明人 万兴隆　 (74)专利代理 机构 苏州曼博专利代理事务所 (普通合伙) 3243 6 代理人 宋俊华 (51)Int.Cl. H02M 1/08(2006.01) H02M 1/084(2006.01) H02M 1/32(2007.01) H02M 1/42(2007.01) H05K 7/20(2006.01) (54)发明名称 大功率线性电源 (57)摘要 本发明公开了一种大功率线性电源， 包括： AC输入端单元， Switch变换单元， 功率MOS管， 输 出单元， 跟随控制单元， MOS驱动单元， 总控单元； 所述AC输入端单元通过Switch变换单元、 功率 MOS管与输出单元连接； 所述总控单元通过跟随 控制单元与A C输入端单元连接； 总控单元还通过 MOS驱动单元与功率MOS管连接； 所述输 出单元还 与跟随控制单元连接。 本发明一方面是从架构上 不要将过大的电压落在后级的功率MOSFET上， 并 且是连续而非分段式控制； 二是采 取新的功率驱 动方式和功率器件， 将传统的MOSFET管电压降低 20%‑30%； 两方面合计起来可降低50% ‑60%的发 热， 从而带来诸多的益处， 如散热要求的降低， 空 间布局也更加合理等。 权利要求书1页 说明书2页 附图2页 CN 114244081 A 2022.03.25 CN 114244081 A 1.大功率线性电源， 其特征在于， 包括： AC输入端单元， Switch变换单元， 功率MOS管， 输 出单元， 跟随控制单 元， MOS驱动单 元， 总控单 元； 所述AC输入端单 元通过Sw itch变换单元、 功率MOS管与输出 单元连接； 所述总控单元通过跟随控制单元与AC输入端单元连接； 总控单元还通过MOS驱动单元 与功率MOS管 连接； 所述输出 单元还与跟随控制单 元连接。 2.根据权利要求1所述的大功率线性电源， 其特 征在于， 前级采取 连续的控制模式。 3.根据权利要求1所述的大功率线性电源， 其特征在于， 前级AC经过变换后成DC信号， 送入高频的Sw itch电路。 4.根据权利要求1所述的大功率线性电源， 其特征在于， 后级功率输出采用极低Ron的 MOSFET。 5.根据权利要求1所述的大功率线性电源， 其特征在于， 实时跟踪电源的各级参数， 并 作出调整。 6.根据权利要求1所述的大功率线性电源， 其特征在于， 电源的各级参数包括开关特 性、 发热状况、 负载变化。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114244081 A 2大功率线性电源 技术领域 [0001]本发明涉及大功率线性电源。 背景技术 [0002]传统的线性电源因为一些优秀的输出指标而得以广泛应用， 但其能源利用率不高 被诟病， 特别是 大功率电源  ， 降低发热和能源浪费， 提高效率 就显得非常重要。 发明内容 [0003]本发明的目的在 于提供一种大功率线性电源， 包括： AC输入端单元， S witch变换单 元， 功率MOS管， 输出 单元， 跟随控制单 元， MOS驱动单 元， 总控单 元； 所述AC输入端单 元通过Sw itch变换单元、 功率MOS管与输出 单元连接； 所述总控单元通过跟随控制单元与AC输入端单元连接； 总控单元还通过MOS驱动 单元与功率MOS管 连接； 所述输出 单元还与跟随控制单 元连接。 [0004]优选的， 前级采取 连续的控制模式。 [0005]优选的， 前级AC经 过变换后成DC信号， 送入高频的Sw itch电路。 [0006]优选的， 后级功率输出采用极低Ro n的MOSFET。 [0007]优选的， 实时跟踪电源的各级参数， 并作出调整。 [0008]优选的， 电源的各级参数包括 开关特性、 发热状况、 负载变化。 [0009]本发明的优点和有益效果在于： 本发明一方面是从架构上不要将过大的电压落在后级的功率MOSFET上， 并且是连 续而非分段式控制； 二是采取新的功率驱动方式和功率器件， 将传统的MOSFET管电压降低 20%‑30%； 两方面合计起来可降低50% ‑60%的发热， 从而带来诸多的益处， 如散热要求的降 低， 空间布局也更加合理等。 [0010]本发明具有如下 特点： 前级采取 连续的控制模式 （结合高频的Sw itch电源)； 前级AC经 过变换后成DC信号， 送入高频的Sw itch电路； DC信号通过Q57后将能量储 存在L54和C79、 C80里， 这次变换效率很高， 达 到90%； 后级功率输出采用极低Ron的MOSFET  Q57， 搭配相应的控制方式送给T52， 达到其 优良的输出 特性； 软体实时跟踪电源的各级参数， 如开关特性、 发热状况、 负载变化等， 快速地作出 调整。 附图说明 [0011]图1是本发明的架构示 意图； 图2是本发明的电路图。说　明　书 1/2 页 3 CN 114244081 A 3