(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111664880.9 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人 安徽佑赛科技股份有限公司 地址 241000 安徽省芜湖市中国 （安徽） 自 由贸易试验区芜湖片区九华北路118 号 (72)发明人 陈任峰　张磊　李辉　陆继文　 李子缘　石伟　 (74)专利代理 机构 芜湖创启知识产权代理事务 所(普通合伙) 34181 代理人 周锟 (51)Int.Cl. H05K 7/20(2006.01) H05K 7/14(2006.01) H02M 1/00(2007.01) (54)发明名称 一种水冷散热双拼功率装置 (57)摘要 本发明实施例提供一种水冷散热双拼功率 装置， 属于水冷散热技术领域。 所述水冷散热双 拼功率装置包括： 单功率单元安装壳体、 安装于 所述单功率单元安装壳体的内部且相互级联的 两个功率单元和安装于所述壳体的内部且朝向 两个所述功率单元的水冷模组； 其中， 所述两个 功率单元包括： 两个相互级 联且置于所述水冷模 组正面的IGBT模块和连接于所述IGBT模块且安 装于所述壳体的底面上的电容器模组。 本发明可 以将2个功率模块集成至一组， 利用了单个壳体 的空间， 缩小了整柜的体积， 减小了单个模块的 成本。 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 CN 114302622 A 2022.04.08 CN 114302622 A 1.一种水冷散热双拼功率装置， 其特征在于， 所述水冷散热双拼功率装置包括： 单功率 单元安装壳体(1)、 安装于所述单功 率单元安装壳体(1)的内部且相互级 联的两个功 率单元 和安装于所述单功率单 元安装壳体(1)的内部且朝向两个所述功率单 元的水冷模组； 其中， 所述两个功率单元包括： 两个相互级联且置于所述水冷模组正面的IGBT模块(6)和连 接于所述IGBT模块(6)且安装于所述单功率单 元安装壳体(1)的底面上的电容器模组(8)。 2.根据权利要求1所述的水冷散热双拼功率装置， 其特征在于， 两个所述IGBT模块(6) 之间的间隔超过 预设定的安全距离阈值， 使得两个所述 IGBT模块(6)之间的信号无干扰。 3.根据权利要求1所述的水冷散热双拼功率装置， 其特征在于， 所述IGBT模块(6)通过 层叠母排(7)连接 于所述电容器模组(8)； 其中， 两个IGBT模块(6)的非级联口各自从所述IGBT模块(6)引出分别作为； 两个所述IGBT模 块(6)组成的H桥的输入口和输出口。 4.根据权利要求1所述的水冷散热双拼功率装置， 其特征在于， 所述壳体的底面上配置 有与所述电容器模组(8)中每一电容相适配的安装孔， 以固定所述每一电容。 5.根据权利要求1所述的水冷散热双拼功率装置， 其特征在于， 所述水冷散热双拼功率 装置还包括： 电性连接于所述IGBT模块(6)且另一端延伸至所述壳体的外侧的直流铜排 (3)； 其中， 所述 直流铜排(3)能够输出 所述IGBT模块(6)的电压 。 6.根据权利要求1所述的水冷散热双拼功率装置， 其特征在于， 所述直流铜排(3)处于 所述壳体的外侧的部分包覆有绝 缘子。 7.根据权利要求1所述的水冷散热双拼功率装置， 其特征在于， 所述壳体的侧壁上配置 有相邻的多个散热孔， 其中， 相邻两个所述散热孔之间的距离处于预设定的距离阈值范围 之内， 所述距离阈值与所述壳体的热膨胀系数相关。 8.根据权利要求1所述的水冷散热双拼功率装置， 其特征在于， 所述功率单元还包括： 用于控制所述IGBT模块(6)和电容器模组(8)的控制器； 其中， 所述控制器安装在安装板(2) 上， 且所述 安装板(2)固定 于所述单功率单 元安装壳体(1)的定位 孔中。 9.根据权利要求1所述的水冷散热双拼功率装置， 其特 征在于， 所述水冷模组包括： 温度传感器， 用于获取 所述单功率单 元安装壳体(1)中的温度； 水循环驱动单元， 用于根据所述温度与预设定的温度阈值的比较结果， 通过变频装置 调速， 控制通过 水冷板的水循环的温度。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114302622 A 2一种水冷散热双拼功率 装置 技术领域 [0001]本发明涉及水冷散热技 术领域， 具体地涉及一种水冷散热双拼功率装置 。 背景技术 [0002]在电网增质提效的大背景下， 减少技术线损至关重要。 配电房改造 的市场前景十 分广阔。 由于电房改造都是拆除原地改造， 目前市面上的高压SVG一般尺寸较大， 受改造场 地的限制， 很难满足安装 条件。 而传统风冷循环散热式SVG内含翅片 散热器占用较大模块空 间， 较大容量的设备在小型化的情况下很难满足散热条件， 因此现研发一种 水冷双拼功率 单元模块， 来应对复杂的现场环境， 提高产品竞争力。 [0003]现有水循环散热式SVG主要由水冷散热板、 直流支撑电容、 IGBT模块、 铜排等部件 组成， 在高压系统中通常为串联 连接。 [0004]现有技术存在的缺点主要有： 由于装置电压等级高， 装置每相通常需要10组或者 10组以上的模块级 联， 易造成成本浪费； 多组级联的单元模块使 得整柜体积硕大， 无法应对 特殊工况现场。 发明内容 [0005]本发明实施例的目的是提供一种水冷散热双拼功率装置， 该水冷散热双拼功率装 置可以将2个功率模块集成至一组， 利用了单个壳体的空间， 缩小了整柜的体积， 减小了单 个模块的成本 。 [0006]为了实现上述目的， 本发明实施例提供一种水冷散热双拼功率装置， 所述水冷散 热双拼功率装置包括： 单功率单元安装壳体、 安装于所述单功率单元安装壳体的内部且相 互级联的两个功 率单元和安装于所述壳体的内部且朝向两个所述功 率单元的水冷模组； 其 中， [0007]所述两个功率单元包括： 两个相互级联且置于所述水冷模组正面的IGBT模块和连 接于所述IGBT模块且安装于所述壳体的底面上的电容器模组。 [0008]优选地， 两个所述IGBT模块之间的间隔超过预设定的安全距离阈值， 使得两个所 述IGBT模块之间的信号无干扰。 [0009]优选地， 所述 IGBT模块 通过层叠母排连接 于所述电容器模组； 其中， [0010]两个IGBT模块的非级联口各自从所述IGBT模块引出分别作为； 两个所述IGBT模块 组成的H桥的输入口和输出口。 [0011]优选地， 所述壳体的底面上配置有与所述电容器模组中每一电容相适配的安装 孔， 以固定所述每一电容。 [0012]优选地， 所述水冷散热双拼功率装置还包括： 电性连接于所述IGBT模块且另一端 延伸至所述壳体的外侧的直 流铜排； 其中， 所述 直流铜排能够输出 所述IGBT模块的电压 。 [0013]优选地， 所述 直流铜排处于所述壳体的外侧的部分包覆有绝 缘子。 [0014]优选地， 所述壳体的侧壁上配置有相邻的多个散热孔， 其中， 相邻两个所述散热孔说　明　书 1/3 页 3 CN 114302622 A 3