论文标题

在金属 - 氧化物 - 氧化二极管二维反转通道中的电子自旋传输:氢退火对自旋散射机理和自旋寿命的影响

Electron spin transport in a metal-oxide-semiconductor Si two-dimensional inversion channel: Effect of hydrogen annealing on spin scattering mechanism and spin lifetime

论文作者

Sato, Shoichi, Tanaka, Masaaki, Nakane, Ryosho

论文摘要

东京大学电气工程和信息系统系,东京邦克库(Bunkyo-ku),东京 - 库(Bunkyo-ku),东京113-8656,日本旋转旋转研究网络中心(CSRN),东京大学,东京大学,7-3-1 Hongo,Hongo,Bunkyo-Ku,Bunkyo-Ku,东京113-8656,东京,东京大学,东京113-13-13-15-113-8656,日本

Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan Center for Spintronics Research Network (CSRN), The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan

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